氧化镓晶圆。 浙江大学杭州国际科创中心供图

　　中新网浙江新闻5月7日电（王逸飞）7日，记者从浙江大学杭州国际科创中心获悉，该中心先进半导体研究院用半年时间发明了研制氧化镓体块单晶以及晶圆的全新熔体法技术路线，目前已经成功制备直径2英寸（50.8毫米）的氧化镓晶圆。使用这种具有完全自主知识产权技术生长2英寸氧化镓晶圆，在国际尚属首次。

　　据悉，使用氧化镓制作的半导体器件可以实现更耐高压、更小体积、更低损耗，在新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域降低能源消耗方面前景无限。目前主流技术路线生长的氧化镓晶体成本较高，一定程度上影响了氧化镓材料在国内的大规模产业化。　

　　面对传统技术的发展瓶颈，在中国科学院院士、浙江大学杭州国际科创中心首席科学家杨德仁的带领下，该中心先进半导体研究院开发了全新的熔体法技术路线。

　　研发团队成员、浙江大学教授张辉介绍，使用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个显著优势。一是氧化镓晶圆的晶面具有特异性，使得制作的功率器件具有较好的性能。二是减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也更低，具有更大的产业化前景。

　　“此前，主流方法生长氧化镓晶体使用的盛放熔体的坩埚，是由贵金属铱制成的，而每克铱的价格高达上千元。因此过去一直难以降低晶体成本。”张辉说。

　　经检测，该中心采用新技术路线研制出的这批氧化镓晶圆的导电类型为半绝缘型，直径尺寸达到50.8±0.5毫米，表面粗糙度小于0.5纳米，光学透过率良好，高分辨X射线摇摆曲线测试半高宽小于100弧秒，衍射峰均匀对称，单晶质量较好，关键技术指标已达领域内先进水平。

　　实现这一突破的浙江大学杭州国际科创中心成立于2019年，为浙江大学和杭州市全面深化市校战略合作共建的重大科技创新平台。（完）